Diamond transistor with an h-BN gate dielectric
Diamond transistor with an h-BN gate dielectric
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具有 h-BN 栅极电介质的金刚石晶体管
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yamaguchi Takahide
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Katsuyoshi Komatsu;Satoshi Moriyama;Jun-ichi Inoue;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi;Yamaguchi Takahide;Yamaguchi Takahide
