"Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS2 Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs"
"Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS2 Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs"
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“通过在背栅 FET 中观察到的随机电报信号，直接证明原子薄 MoS2 层中缺陷与缺陷之间的相关性”
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and A.Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Fang;K.Nagashio;and A.Toriumi
