Electrochemical etching process to tune the diameter of arrayed deep pores by controlling carrier collection at a semiconductor-electrolyte interface
Electrochemical etching process to tune the diameter of arrayed deep pores by controlling carrier collection at a semiconductor-electrolyte interface
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电化学蚀刻工艺通过控制半导体-电解质界面处的载流子收集来调整阵列深孔的直径
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Homma
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Sato;T.Yamaguchi;T.Isobe;S.Shoji;T.Homma
