ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製

ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製
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使用晶面控制技术制造高质量氮化物半导体

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
応用物理 第75巻 第4号
影响因子:
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通讯作者:
三宅秀人
三宅秀人
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
S.Nishida;T.Yamanaka;S.Hasegawa;H.Asahi;三宅秀人

文献摘要

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