Evolution of the Fermi surface of BiTeCl with pressure
Evolution of the Fermi surface of BiTeCl with pressure
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BiTeCl 费米面随压力的演化
DOI：
10.1088/1361-648x/aa73b7
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hamlin, J J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
VanGennep, D;Jackson, D E;Graf, D;Berger, H;Hamlin, J J
我们测量了巨型拉什巴半导体BiTeCl2的Shubnikov-de Haas振荡，其外加压力高达∼2.5 Gpa。我们观察到两个不同的振荡频率，对应于拉什巴分裂的内、外费米面。BiTeCl有一个导带底部，由于强烈的Rashba耦合，导带底部被分成两个子带，导致两个自旋极化的导带和一个狄拉克点。我们的结果表明，化学势位于这个狄拉克点上方，产生了两个费米面。我们使用一个简单的双带模型来理解我们的样本参数的压力依赖关系。将我们在BiTeCl上的结果与以前在BiTeI上的结果进行比较，我们观察到化学势和Rashba裂解随压力的变化趋势相似。
We report measurements of Shubnikov–de Haas oscillations in the giant Rashba semiconductor BiTeCl under applied pressures up to∼ 2.5 GPa. We observe two distinct oscillation frequencies, corresponding to the Rashba-split inner and outer Fermi surfaces. BiTeCl has a conduction band bottom that is split into two sub-bands due to the strong Rashba coupling, resulting in two spin-polarized conduction bands as well as a Dirac point. Our results suggest that the chemical potential lies above this Dirac point, giving rise to two Fermi surfaces. We use a simple two-band model to understand the pressure dependence of our sample parameters. Comparing our results on BiTeCl to previous results on BiTeI, we observe similar trends in both the chemical potential and the Rashba splitting with pressure.
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