Masashi Umemura: "Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy" Journal of Applied Physics. 72. 313-315 (1992)
Masashi Umemura: "Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy" Journal of Applied Physics. 72. 313-315 (1992)
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Masashi Umemura：“通过有机金属气相外延在 GaAs(111)A 衬底平面上生长的 AlGaAs 层的形态”应用物理学杂志。
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