Epitaxy of semiconductor layered structures

Epitaxy of semiconductor layered structures
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半导体层状结构的外延

DOI：
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发表时间：
1988
期刊：
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影响因子：
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通讯作者：
R. Gunshor
R. Gunshor
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
R. T. Tung;L. Dawson;R. Gunshor

文献摘要

被引文献

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这些论文集收集了有关半导体的论文。主题包括：硅衬底上锗/硅薄膜的脉冲激光结晶；CdTe在GaAs/Si表面的外延生长缺陷结构的透射电镜研究；以及有机金属外延。
These proceedings collect papers on semiconductors. Topics include: pulsed laser crystallization of Germanium/silicon films on silicon substrates; epitaxial growth of CdTe on GaAs/Si; transmission electron microscopy studies of defect structures; and organometallic epitaxy.