Vibration-assisted electron tunneling in C140 transistors.
Vibration-assisted electron tunneling in C140 transistors.
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DOI：
10.1021/nl048619c
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发表时间：
2005-01
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
A. Pasupathy;Jiwoong Park;C. Chang;A. Soldatov;S. Lebedkin;R. Bialczak;J. E. Grose;L. Donev;
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Pasupathy;Jiwoong Park;C. Chang;A. Soldatov;S. Lebedkin;R. Bialczak;J. E. Grose;L. Donev;
我们测量了由C（140）制成的晶体管中的电子隧穿，C（140）是一种具有质量-弹簧-质量几何结构的分子，被选为研究电子-振动耦合的模型系统。我们观察到振动辅助隧穿对应的能量的伸缩模式的C（140）。分子模型提供了解释为什么这种模式耦合更强烈的电子隧穿比其他内部模式的分子。我们观察到的隧穿率和预期的Franck-Condon模型之间的比较。
We measure electron tunneling in transistors made from C(140), a molecule with a mass-spring-mass geometry chosen as a model system to study electron-vibration coupling. We observe vibration-assisted tunneling at an energy corresponding to the stretching mode of C(140). Molecular modeling provides explanations for why this mode couples more strongly to electron tunneling than to the other internal modes of the molecule. We make comparisons between the observed tunneling rates and those expected from the Franck-Condon model.