Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
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通过将 Ge 冷凝技术应用于应变 SOI 衬底来增强应变 SGOI p 沟道 MOSFET 的迁移率
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Suh;R.Nakane;N.Taoka;M.Takenaka;S.Takagi
