Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates
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n型Si(111)√3×√3-B衬底上Bi(110)超薄膜的电子结构
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Hirayama and K. Nakatsuji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ouchi;L. Nakamura;K. Takemura;M. Shimura;R. Ushioda;T. Iimori;F. Komori;H. Hirayama and K. Nakatsuji
