An improved small signal model of InP HBT for millimeter-wave applications
An improved small signal model of InP HBT for millimeter-wave applications
复制标题
用于毫米波应用的 InP HBT 的改进小信号模型
DOI：
10.1002/mop.32876
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Gao Jianjun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Ao;Gao Jianjun
在这封信中，一个改进的小信号等效电路模型的InP异质结双极晶体管（HBT）的毫米波应用。该小信号模型考虑了集电极部分的寄生效应，有效提高了S参数的计算精度。在2-110 GHz的频率范围内，测量数据和模型计算数据之间可以实现良好的一致性，以证明良好的建模精度。
In this letter, an improved small‐signal equivalent circuit model of InP heterojunction bipolar transistors (HBTs) for millimeter‐wave applications is presented. The proposed small‐signal model takes into account the parasitic effect in the collector part which can effectively improve the accuracy ofSparameter. In the frequency range of 2–110 GHz, good agreements between the measured and model‐calculated data can be achieved to demonstrate good modeling accuracy.