Impact of native interface asymmetry and electric field on spin-splitting in narrow gap semiconductor heterostructures
Impact of native interface asymmetry and electric field on spin-splitting in narrow gap semiconductor heterostructures
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本征界面不对称性和电场对窄带隙半导体异质结构自旋分裂的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Ogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Souma;M. Ogawa
