Feasibility study of a semiconductor quantum bit structure based on a spin FET embedded with self-assembled InAs quantim dots
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基于嵌入自组装InAs量子点的自旋FET的半导体量子位结构的可行性研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Saori;Kashiwada;Takashi;Matsuda;Kanji;Yoh
