M. Koh,: "Quantitative characterization of ion-induced Si0_2/Si interface traps by means of MeV He sinle-ion irradiation"Journal of Applied Physics. 85. 7814-7818 (1999)
M. Koh,: "Quantitative characterization of ion-induced Si0_2/Si interface traps by means of MeV He sinle-ion irradiation"Journal of Applied Physics. 85. 7814-7818 (1999)
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M. Koh，：“通过 MeV He 单离子辐照对离子诱导的 SiO_2/Si 界面陷阱进行定量表征”应用物理学杂志。
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