p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric
p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric
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p-MoS2/HfS2 范德华异质结构晶体管，采用埋在 HfO2 电介质中的 Ni 背栅
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Miyamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Zhang;S. Netsu;Toru Kanazawa;T. Amemiya;Y. Miyamoto
