プラズマ後窒化(100)面及び(110)面SiGe MOS界面の比較
プラズマ後窒化(100)面及び(110)面SiGe MOS界面の比較
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等离子氮化后 (100) 和 (110) SiGe MOS 界面的比较
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
韓在勲;竹中充;高木信一
