Unconventional anomalous Hall effect in magnetic topological insulator MnBi4Te7 device
Unconventional anomalous Hall effect in magnetic topological insulator MnBi4Te7 device
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磁拓扑绝缘体MnBi4Te7器件中的非常规反常霍尔效应
DOI：
10.1063/5.0041532
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发表时间：
2021-02
影响因子：
4
通讯作者：
Song Fengqi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jia Bin;Zhang Shuai;Ying Zhe;Xie Hangkai;Chen Bo;Naveed Muhammad;Fei Fucong;Zhang Minhao;Pan Danfeng;Song Fengqi
天然的内禀磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4（Bi2Te3）n是研究有趣的输运现象的平台，为磁性和拓扑学的结合提供了重要的基础性认识。在这里，我们制作了MnBi4Te7薄膜器件，并进行了输运测量。这表明器件中存在非常规的反常霍尔效应，表现为磁滞异常和类驼峰行为。门控符号反转也是一个有趣的特性。通过对栅压和温度的调制，我们认为这种非常规的反常霍尔效应是由于反铁磁成分和铁磁成分共存的结果，这可能是由于空间变化的不均匀性造成的。我们的工作为研究物质家族提供了一个足智多谋的视角。
The natural intrinsic magnetic topological insulator MnBi2Te4(Bi2Te3)n is a platform for studying intriguing transport phenomena and provides an essential chance for the fundamental understanding of the combination of magnetism and topology. Here, we fabricated MnBi4Te7 thin film devices and carried out the transport measurement. It shows the unconventional anomalous Hall effect in the devices with the hysteresis anomaly and hump-like behavior. The gate-controlled sign reversal is also an interesting feature. With the modulation of gate voltage and temperature, we suggest that the unconventional anomalous Hall effect is due to the coexistence of the antiferromagnetic component and ferromagnetic component, which may result from the inhomogeneous spatial variation. Our work provides a resourceful insight into the study of the material family.
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影响因子：
13.6
作者：
Matsuno J;Ogawa N;Yasuda K;Kagawa F;Koshibae W;Nagaosa N;Tokura Y;Kawasaki M
通讯作者：
Kawasaki M
影响因子：
13.6
作者：
Masuda H;Sakai H;Tokunaga M;Yamasaki Y;Miyake A;Shiogai J;Nakamura S;Awaji S;Tsukazaki A;Nakao H;Murakami Y;Arima TH;Tokura Y;Ishiwata S
通讯作者：
Ishiwata S
影响因子：
12.5
作者：
Fijalkowski, K. M.;Hartl, M.;Molenkamp, L. W.
通讯作者：
Molenkamp, L. W.
DOI：
10.1103/physrevmaterials.4.064419
发表时间：
2018-09
期刊：
arXiv: Strongly Correlated Electrons
影响因子：
--
作者：
B. Shen;Chaowei Hu;H. Cao;X. Gui;E. Emmanouilidou;W. Xie;N. Ni
通讯作者：
B. Shen;Chaowei Hu;H. Cao;X. Gui;E. Emmanouilidou;W. Xie;N. Ni
影响因子：
3.7
作者：
Ding, Lei;Hu, Chaowei;Cao, Huibo
通讯作者：
Cao, Huibo