M.Ichimura,T.Moriguchi,A.Usami,and T.Wada: "Micro-Raman Characterization fo a Ge/Si Heterostructure Grown by Chemical Vapor Deposition" IEICE Transactions on Electronics. E75-C. 1056-1062 (1992)
M.Ichimura,T.Moriguchi,A.Usami,and T.Wada: "Micro-Raman Characterization fo a Ge/Si Heterostructure Grown by Chemical Vapor Deposition" IEICE Transactions on Electronics. E75-C. 1056-1062 (1992)
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M.Ichimura、T.Moriguchi、A.Usami 和 T.Wada：“通过化学气相沉积生长的 Ge/Si 异质结构的显微拉曼表征”IEICE 电子交易。
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