M.Ishida,H.Tayanaka S.Yanagiya,and T.Nakamura: "Difference of Si selective growth on Al_2O_3 and SiO_2 substrates by electron beam irradiation method" Jpn.J.Appl.Phys.34(1995)4429-4432. 34. 4429-4432 (1995)
M.Ishida,H.Tayanaka S.Yanagiya,and T.Nakamura: "Difference of Si selective growth on Al_2O_3 and SiO_2 substrates by electron beam irradiation method" Jpn.J.Appl.Phys.34(1995)4429-4432. 34. 4429-4432 (1995)
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M.Ishida，H.Tayanaka S.Yanagiya，和T.Nakamura：“电子束辐照法在Al_2O_3和SiO_2衬底上选择性生长Si的差异”Jpn.J.Appl.Phys.34(1995)4429-4432。
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