Gate Length Scaling of High-k Vertical MOSFET toward 20nm CMOS Technology and beyond
Gate Length Scaling of High-k Vertical MOSFET toward 20nm CMOS Technology and beyond
复制标题
高 k 垂直 MOSFET 的栅极长度向 20nm CMOS 技术及更高技术扩展
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐々木健志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takeshi Sasaki;Masakazu Muraguchi;Moon-Sik Seo;Sung-kye Park. Tetsuo Endoh;佐々木健志
