Ge基板上での高温成長による弗化物RTDの欠陥制御
Ge基板上での高温成長による弗化物RTDの欠陥制御
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通过在 Ge 基底上高温生长来控制氟化物 RTD 中的缺陷
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
筒井一生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋慶太;林優士;萱沼良介;齊藤昇;筒井一生
