Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent
Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent
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碳不饱和状态下溶剂浸渍坩埚底部固溶生长SiC
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.51
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hyun Koang Yong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Taishi Toshinori;Takahashi Masaru;Tsuchimoto Naomichi;Suzuki Koki;Hyun Koang Yong
