Direct writing onto Si by electron beam stimulated etching
Direct writing onto Si by electron beam stimulated etching
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通过电子束激发蚀刻在硅上直接写入
DOI：
10.1063/1.98614
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发表时间：
1987
影响因子：
4
通讯作者：
K. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Matsui;K. Mori
已通过使用 XeF2 源的电子束诱导表面反应证明了在 Si 上的直接写入。 Si(100) 的电子束刺激蚀刻深度与电子剂量成正比。在 10 kV 加速电压、4×10−3 C/cm2 剂量和 5 mTorr XeF2 气压下，电子束刺激蚀刻的蚀刻深度为 500 nm。对于使用 XeF2 源的电子刺激蚀刻，观察到每个电子约 100 个 Si 原子的极高蚀刻产率。已在 4×10−3 C/cm2 剂量下制造了 0.5 μm 线宽图案。
Direct writing onto Si has been demonstrated by electron beam induced surface reaction using a XeF2 source. The electron beam stimulated etched depth for Si(100) is proportional to the electron dose. Etch depth by electron beam stimulated etching is 500 nm at 10 kV accelerating voltage, 4×10−3 C/cm2 dose, and 5 mTorr XeF2 gas pressure. An enormously high etching yield of about 100 Si atoms per electron has been observed for electron stimulated etching using the XeF2 source. A 0.5‐μm linewidth pattern has been fabricated at a 4×10−3 C/cm2 dose.