60GHz transceiver circuits in SiGe bipolar technology
60GHz transceiver circuits in SiGe bipolar technology
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采用 SiGe 双极技术的 60GHz 收发器电路
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Thomas Zwick
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Reynolds;Brian A. Floyd;U. Pfeiffer;Thomas Zwick
60 GHz LNA、直接下变频器、PA和20 GHz VCO采用200 GHz f/sub t/、/f/sub max/、0.12/spl mu/m SiGe技术内置。10.8mW的LNA具有15 dB的增益，3.4-4.4dB的噪声系数和-8.5dBm的IIP 3。该下变频器具有16 dB的增益、> 50 dB的本振-射频隔离度和13.4-14.8dB的噪声系数。PA在9dB增益下提供10 dBm。
A 60GHz LNA, direct-downconverter, PA, and 20GHz VCO are built in a 200GHz f/sub t/,/f/sub max/, 0.12/spl mu/m SiGe technology. The 10.8mW LNA has 15dB gain, 3.4-4.4dB noise figure and -8.5dBm IIP3. The down converter has 16dB gain, >50dB LO-RF isolation, and 13.4-14.8dB noise figure. The PA delivers 10dBm at 9dB gain.