Reduction of leakage current density in homoepitaxial m-plane GaN by controlling V/III ratios for high-power device applications
Reduction of leakage current density in homoepitaxial m-plane GaN by controlling V/III ratios for high-power device applications
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通过控制高功率器件应用的 V/III 比率来降低同质外延 m 面 GaN 的漏电流密度
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. 1 Barry;A. Tanaka ;K. Nagamatsu;S. Y. Bae;K. Lekhal;M. Deki;S. Nitta;Y. Honda;H. Amano
