Highly phosphorus-doped polysilicon films with low tensile stress for surface micromachining using POCl3 diffusion doping
Highly phosphorus-doped polysilicon films with low tensile stress for surface micromachining using POCl3 diffusion doping
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DOI：
10.1016/s0924-4247(97)80292-0
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发表时间：
1997-06
影响因子：
4.6
通讯作者：
L. Elbrecht;R. Catanescu;J. Zacheja;J. Binder
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Elbrecht;R. Catanescu;J. Zacheja;J. Binder
