Defect Analysis of Siloxane Gate Insulator and its Interface in a-IGZO Thin-Film Transistor Nara Institute of Science and Technology
Defect Analysis of Siloxane Gate Insulator and its Interface in a-IGZO Thin-Film Transistor Nara Institute of Science and Technology
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a-IGZO薄膜晶体管硅氧烷栅极绝缘体及其界面的缺陷分析 奈良科学技术大学
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chaiyanan Kulchaisit; Juan Paolo Bermundo;Mami N. Fujii;Yasuaki Ishikawa;and Yukiharu Uraoka
