High-sensitivity photodetectors in CMOS technology for 3-D imaging
High-sensitivity photodetectors in CMOS technology for 3-D imaging
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采用 CMOS 技术的高灵敏度光电探测器，用于 3D 成像
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Stoppa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Betta;L. Pancheri;D. Stoppa
我们报告雪崩光电二极管在不同的CMOS亚微米技术。虽然它们的电光特性在某些方面没有优化，但这些光电探测器对于用于高灵敏度成像应用的低成本、高性能的完全集成系统是有吸引力的。
We report on avalanche photodiodes in different CMOS submicron technologies. Although their electro-optical characteristics are not optimized in some respects, these photodetectors are appealing for low-cost, high-performance fully integrated systems for high-sensitivity imaging applications.