Macroscopic electron-hole distribution in silicon and cubic silicon carbide by the intense femtosecond laser pulse
Macroscopic electron-hole distribution in silicon and cubic silicon carbide by the intense femtosecond laser pulse
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强飞秒激光脉冲在硅和立方碳化硅中的宏观电子空穴分布
DOI：
10.1063/1.5124424
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发表时间：
2019
影响因子：
3.2
通讯作者：
Otobe T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Otobe T.;Otobe T.
