High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN(0001) surface
High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN(0001) surface
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在 Co 端接 GaN(0001) 表面上高质量外延生长半金属 Co2FeSi 薄膜
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kohei Hamaya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shinya Yamada;Yuki Goto;Jun Tatebayashi;Shuhei Ichikawa;Yasufumi Fujiwara;Kohei Hamaya
