Influence of Current Collapse due to $V_{ds}$ Bias Effect on GaN-HEMTs $I_{d}-V_{ds}$ Characteristics in Saturation Region
Influence of Current Collapse due to $V_{ds}$ Bias Effect on GaN-HEMTs $I_{d}-V_{ds}$ Characteristics in Saturation Region
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DOI：
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发表时间：
2022-09
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xuyang Lu;A. Videt;Ke Li;S. Faramehr;P. Igić;N. Idir
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xuyang Lu;A. Videt;Ke Li;S. Faramehr;P. Igić;N. Idir
本文提出了一种基于改进的 H 桥电路的新方法，研究电流崩塌效应对高压区 GaN-HEMT 的 $I_{d}-V_{ds}$ 特性的影响。比较了有和没有 $V_{ds}$ 偏置时测得的 $I_{d}-V_{ds}$ 特性，显示了 $V_{ds}$ 偏置引起的电荷捕获对饱和区器件 $I_{d}-V_{ds}$ 特性的影响。这些数据将用于设备模型，包括整个 $I_{d}-V_{ds}$ 区域中的当前塌陷效应。
A new method is proposed in this paper to investigate the influence of current collapse effect on the $I_{d}-V_{ds}$ characteristics of GaN-HEMTs in high voltage region based on a modified H-bridge circuit. The measured $I_{d}-V_{ds}$ characteristics with and without the $V_{ds}$ bias are compared, which shows the effect of charge trapping due to the $V_{ds}$ bias on device $I_{d}-V_{ds}$ characteristics in saturation region. These data will be used for a device model including the current collapse effect in full $I_{d}-V_{ds}$ region.