Interface engineering with an MOCVD grown ZnO interface passivation layer for ZrO2–GaAs metal–oxide–semiconductor devices
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DOI：
10.1016/j.ssc.2011.09.033
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发表时间：
2011-12
影响因子：
2.1
通讯作者：
Souvik Kundu;T. Shripathi;P. Banerji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Souvik Kundu;T. Shripathi;P. Banerji
