H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Matallization MOSFET" Ext.Abst.1997 Int.conf.Solid.state Device and Materials. 124-125 (1997)
H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Matallization MOSFET" Ext.Abst.1997 Int.conf.Solid.state Device and Materials. 124-125 (1997)
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H.Matsuhashi：“用于完全自对准金属化 MOSFET 的自对准 10 nm 势垒层形成技术”Ext.Abst.1997 Int.conf.Solid.state 器件和材料。
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