Intrinsic Photoconductivity of few-layered ZrS2 Phototransistors via Multiterminal Measurements
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DOI：
10.30564/ssid.v1i2.1526
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发表时间：
2020-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rukshan M. Tanthirige;C. García;Saikat Ghosh;F. Jackson;J. Nash;D. Rosenmann;R. Divan;L. Stan;A. Sumant;S. McGill;P. Ray;N. Pradhan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rukshan M. Tanthirige;C. García;Saikat Ghosh;F. Jackson;J. Nash;D. Rosenmann;R. Divan;L. Stan;A. Sumant;S. McGill;P. Ray;N. Pradhan
1.美国杰克逊州立大学化学、物理和大气科学系层状材料与器件物理实验室，美国杰克逊，MS 39217；2.美国佛罗里达州塔拉哈西强磁场国家实验室，FL 32310；3.昆明理工大学，昆明，650500，中国；4.美国阿贡国家实验室纳米材料中心，S-卡斯大道9700，莱蒙特，IL-60439
1. Layered Materials and Device Physics Laboratory, Department of Chemistry, Physics and Atmospheric Science, Jackson State University, Jackson, MS 39217, USA 2. National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, FL 32310, USA 3. Kunming University of Science and Technology, Kunming 650500, China 4. Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, 9700 S-Cass Avenue, Lemont, IL-60439, USA