A tunnel FET design for high-current, 120 mV operation
A tunnel FET design for high-current, 120 mV operation
复制标题
适用于高电流、120 mV 操作的隧道 FET 设计
DOI：
10.1109/iedm.2016.7838511
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Calhoun, B. H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Long, P.;Huang, J. Z.;Povolotskyi, M.;Verreck, D.;Charles, J.;Kubis, T.;Klimeck, G.;Rodwell, M. J.W.;Calhoun, B. H.
