Tetsuo ENDOH: "Analysis of short channel effects and proposal of scaling theory in Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET" IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS C-II. J82-C-II,No.2. 72-73 (1999)
Tetsuo ENDOH: "Analysis of short channel effects and proposal of scaling theory in Fully-Depleted Double-Gate SOI MOSFET" IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS C-II. J82-C-II,No.2. 72-73 (1999)
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Tetsuo ENDOH：“全耗尽双栅 SOI MOSFET 中短沟道效应的分析和缩放理论的提出”IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS C-II。
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