Impact of the substrate and of the nucleation layer on the properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC
Impact of the substrate and of the nucleation layer on the properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2012.10.001
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发表时间：
2013-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
P. Gamarra;C. Lacam;M. Tordjman;M. Forte-Poisson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Gamarra;C. Lacam;M. Tordjman;M. Forte-Poisson
