SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Substrates Fabricated by Ge-Condensation Technique for High-Mobility Channel CMOS Devices
SiGe-on-Insulator and Ge-on-Insulator Substrates Fabricated by Ge-Condensation Technique for High-Mobility Channel CMOS Devices
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用于高迁移率通道 CMOS 器件的采用 Ge 凝聚技术制造的绝缘体上 SiGe 和绝缘体上 Ge 衬底
DOI：
10.1557/proc-809-b2.1
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
E. Toyoda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tezuka;T. Mizuno;N. Sugiyama;S. Nakaharai;Y. Moriyama;K. Usuda;T. Numata;N. Hirashita;T. Maeda;S. Takagi;Y. Miyamura;E. Toyoda
