Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching
Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching
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通过光辅助电化学蚀刻形成具有改进结构可控性的GaN多孔结构
DOI：
10.7567/jjap.55.04ej12
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发表时间：
2016
影响因子：
1.5
通讯作者：
and T. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kumazaki;Z. Yatabe;and T. Sato
