澁谷忠弘他: "Damage Process of Polycrystalline LSI Conductor Due to Atom Migration Induced by Electric Current and Stress"International Journal of Damage Mechanics. 11・2. 113-128 (2002)
澁谷忠弘他: "Damage Process of Polycrystalline LSI Conductor Due to Atom Migration Induced by Electric Current and Stress"International Journal of Damage Mechanics. 11・2. 113-128 (2002)
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Tadahiro Shibuya 等人：“由于电流和应力引起的原子迁移导致的多晶 LSI 导体的损坏过程”《国际损坏力学杂志》11・2（2002 年）。
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