Modeling of Degradation caused by Channel Hot Carrier and Negative Bias Temperature Instability Effects in p-MOSFETs
Modeling of Degradation caused by Channel Hot Carrier and Negative Bias Temperature Instability Effects in p-MOSFETs
复制标题
p-MOSFET 中沟道热载流子和负偏压温度不稳定性效应引起的退化建模
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Miura-Mattausch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Ma;H. J. Mattausch;M. Miyake;T. Iizuka;K. Matsuzawa;S. Yamaguchi;T. Hoshida;A. Kinoshita;T. Arakawa;J. He;and M. Miura-Mattausch
