量子化学計算を用いたGaN CMPにおけるOHラジカルの量が化学反応および研磨 プロセスに及ぼす影響の解明
量子化学計算を用いたGaN CMPにおけるOHラジカルの量が化学反応および研磨 プロセスに及ぼす影響の解明
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使用量子化学计算阐明 OH 自由基数量对 GaN CMP 中化学反应和抛光过程的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
久保百司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
河口健太郎;樋口祐次;尾澤伸樹;久保百司
