A predistortion diode linearizer technique with automatic average power bias control for a class-F GaN HEMT power amplifier
A predistortion diode linearizer technique with automatic average power bias control for a class-F GaN HEMT power amplifier
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用于 F 类 GaN HEMT 功率放大器的具有自动平均功率偏置控制的预失真二极管线性化技术
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R.Ishikawa,.K.Honjo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Ando;Y.Takayama;T.Yoshida;R.Ishikawa,.K.Honjo
