{11-22} Semipolar Light Emitting Diodes Using Relaxed Thick InGaN Layers with Various In Compositions and Thickness
{11-22} Semipolar Light Emitting Diodes Using Relaxed Thick InGaN Layers with Various In Compositions and Thickness
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{11-22} 使用不同成分和厚度的松弛厚 InGaN 层的半极性发光二极管
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Tadatomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Okada;K. Uchida;K. Yamane;and K. Tadatomo
