65 nm 標準CMOS プロセスを用いた偏光分析CMOS イメージセンサの消光比評価
65 nm 標準CMOS プロセスを用いた偏光分析CMOS イメージセンサの消光比評価
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采用 65 nm 标准 CMOS 工艺的偏振分析 CMOS 图像传感器的消光比评估
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
太田淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
若間範充;岡林大恭;野田俊彦;笹川清 隆;徳田崇;垣内喜代三;太田淳
