Extremely high internal quantum efficiency of AlGaN-based quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates
Extremely high internal quantum efficiency of AlGaN-based quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates
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面对面退火溅射沉积 AlN 模板上基于 AlGaN 的量子阱具有极高的内量子效率
DOI：
10.35848/1882-0786/ac3802
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Yamada Yoichi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Murotani Hideaki;Fujii Atsushi;Oshimura Ryota;Kusaba Takafumi;Uesugi Kenjiro;Miyake Hideto;Yamada Yoichi
