Revisiting an influence of island edges on electrical characteristics of pseudo-MOSFET method
Revisiting an influence of island edges on electrical characteristics of pseudo-MOSFET method
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重新审视岛边对伪 MOSFET 方法电特性的影响
DOI：
10.1109/eurosoi-ulis49407.2020.9365378
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Shingo Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daigo Mori;Shingo Sato
用开尔文拟MOSFET方法讨论了岛状边缘对拟MOSFET方法电学特性的影响。阐明了使用双组态开尔文伪场效应晶体管方法精确提取沟道电阻、载流子迁移率等电学参数的必要性，而不需要使用任何复杂的解析模型。
The influence of island edges on the electrical characteristics of the pseudo-MOSFET method is revisited using the Kelvin pseudo-MOSFET method. We clarify the necessity to use the dual configuration Kelvin pseudo-MOSFET method to precisely extract the electrical parameters like channel resistance, carrier mobility and so on without using any complicated analytical model.