Gate dielectric formation and MIS interface characterization on Ge
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DOI：
10.1016/j.mee.2007.04.129
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发表时间：
2007-09
影响因子：
2.3
通讯作者：
S. Takagi;T. Maeda;N. Taoka;M. Nishizawa;Y. Morita;K. Ikeda;Y. Yamashita;M. Nishikawa;H. Kumagai;R. Nakane;S. Sugahara;N. Sugiyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Takagi;T. Maeda;N. Taoka;M. Nishizawa;Y. Morita;K. Ikeda;Y. Yamashita;M. Nishikawa;H. Kumagai;R. Nakane;S. Sugahara;N. Sugiyama
