Evaluation of Far-Infrared BIB-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-ActivatedWafer Bonding Technology
Evaluation of Far-Infrared BIB-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-ActivatedWafer Bonding Technology
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采用表面活化晶圆键合技术制造的远红外BIB型Ge探测器的评估
DOI：
10.5303/pkas.2017.32.1.351
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chihiro
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hanaoka;Misaki; Kaneda;Hidehiro; Oyabu;Shinki; Hattori;Yasuki; Tanaka;Kotomi; Ukai;Sota; Shichi;Kazuyuki; Wada,Takehiko; Suzuki;Toyoaki; Watanabe;Kentaroh; Nagase;Koichi; Baba;Shunsuke; Kochi;Chihiro
