In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD
In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD
复制标题
大气压等离子体 CVD 低温原位掺杂硅选择性外延生长
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yasutake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Ohnishi;Y.Kirihata;H.Ohmi;H.Kakiuchi;K.Yasutake
